Samsung cambia el nombre de las obleas de 3 nm de segunda generación a 2 nm

Samsung causa polémica al renombrar la 2ª generación de obleas fabricadas en 3 nm a 2 nm para posicionarse competitivamente respecto al proceso Intel 20A, equivalente a 2 nm. La iniciativa plantea interrogantes sobre cómo se ha llevado a cabo la comunicación oficial sobre la fabricación de obleas de silicio, ya que esta medida, en realidad, no está relacionada con el tamaño "real" de los semiconductores.

Los fabricantes de chips utilizan deliberadamente los términos 5 nm, 3 nm, 2 nm, etc., para representar la densidad de los transistores en matrices de silicio, en lugar del tamaño efectivo de los componentes. En la práctica, cada componente de un chip tiene diferentes tamaños y estos números son sólo marcas para que los productos sean más fáciles de entender.

Ni siquiera los chips de 3nm tienen 3nm

El proceso de reducción de litografías es mucho más complejo que simplemente imprimir circuitos y transistores cada vez más pequeños, sufriendo profundos cambios en las estructuras de estos componentes. Por esta razón, la nomenclatura de la litografía en nanómetros es una medida relativa de densidad, que involucra la forma de las puertas lógicas de los circuitos y el empaquetamiento 3D, para acomodar más componentes por área de PCB.

Por esta razón, el cambio de marca de Samsung a su proceso de fabricación de 3 nm de segunda generación a 2 nm no es necesariamente un anuncio falso o un truco publicitario. Al parecer, la medida de la compañía surcoreana pretende reposicionar su proceso de fabricación en relación a los chips Intel.

Los procesos de fabricación de Intel 4 e Intel 20A tampoco son, de hecho, de 4 nm y 2 nm respectivamente, sin embargo, la comunicación de la compañía es más clara al combinar siempre “Intel 20, equivalente a 2 nanómetros” en sus materiales oficiales.